オゾンガス発生装置 P series
大流量のPシリーズ
窒素なしにオゾンを発生する
世界初の技術です。
窒素無添加オゾンガス発生装置Pシリーズは大量のオゾンが、複雑な構造の奥深くまで行き届くため最先端メモリなどの成膜工程に拡く採用されています。
大流量オゾンが、メモリ半導体の生産性向上に貢献しています。
窒素添加レス方式で業界トップクラスの超高濃度のオゾンガスを発生。
・主な用途…半導体製造プロセス 他
仕様
窒素なしで、750g/hという大量のオゾンを発生。
お客様の用途に合わせ、小流量から大流量まで4機種をラインアップ。
オゾンガス発生特性
(お客様の求めるオゾン量にマッチする機種をお選び下さい)