MCZ用超電導マグネット

高品質な半導体ウェハー製造に活躍する
水平磁場超電導マグネット

MCZ(単結晶引上げ装置)用超電導マグネット

高品質な単結晶シリコンを生成するために、磁場を印加する装置です。

概要/特長

半導体ウェハー用のシリコン単結晶を引き上げる際に、良質な単結晶を得るために磁場を印加するマグネットです。
水平磁場を効率的かつ広範囲に発生させるために、鞍型のコイルを採用しています。
コンパクトなサイズと軽量なボディとするとともに、漏洩磁場が小さいマグネットを実現しています。

MCZ(単結晶引上げ装置)用超電導マグネット

特長

  • 鞍型コイルにより円筒形状で広範囲な水平磁場を生成します。
  • マグネットからの漏洩磁場を最小限に抑制します。
  • 液体ヘリウム浸漬冷却により、安定した冷却を実現します。

主要諸元

主要諸元

主要仕様

磁場方向 水平
中心最大磁束密度 0.4 Tesla
(4,000 Gauss)
漏洩磁場 マグネット中心より約3mの距離において、0.01 Tesla(100 Gauss)未満
冷却方式 液体He浸漬冷却