MCZ（単結晶引上げ装置）用超電導マグネット
高品質な単結晶シリコンを生成するために、磁場を印加する装置です。
概要/特長
半導体ウェハー用のシリコン単結晶を引き上げる際に、良質な単結晶を得るために磁場を印加するマグネットです。
水平磁場を効率的かつ広範囲に発生させるために、鞍型のコイルを採用しています。
コンパクトなサイズと軽量なボディとするとともに、漏洩磁場が小さいマグネットを実現しています。
特長
- 鞍型コイルにより円筒形状で広範囲な水平磁場を生成します。
- マグネットからの漏洩磁場を最小限に抑制します。
- 液体ヘリウム浸漬冷却により、安定した冷却を実現します。
主要諸元
主要仕様
| 磁場方向 | 水平 |
|---|---|
| 中心最大磁束密度 | 0.4 Tesla （4,000 Gauss） |
| 漏洩磁場 | マグネット中心より約3mの距離において、0.01 Tesla（100 Gauss）未満 |
| 冷却方式 | 液体He浸漬冷却 |
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