オゾンガス発生装置
特長
- 1. 窒素ガス無添加方式で超高濃度のオゾン発生
- 独自の電極構造の開発で、最大400g/m3（N）の業界トップクラスの超高濃度を達成しました。
- 2. 窒素ガス無添加方式で金属コンタミネーションの発生を抑制
- 窒素酸化物の発生を極限まで抑えた＊1クリーンなオゾンガスは、更に微細化するパターンの品質維持や膜質の向上が図れます。
＊1：窒素酸化物濃度0.01ppm以下（当社従来比1/10000） - 3. 独自の極短ギャップ放電技術を継承
- 立ち上がり特性、安定性、冷却効率に優れた独自の極短ギャップ放電技術を継承しています。
- 4. 国際規格に対応
- CEマーキング、SEMI-S2の国際規格対応機をラインアップ。
オゾンガス中の金属コンタミネーション量
単位：ng/m3
| 元素 | Na | Al | K | Ca | Ti | Cr | Mn | Fe | Ni | Cu | Zn |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| オゾンガス | N.D. | N.D. | N.D. | N.D. | N.D. | N.D. | N.D. | N.D. | N.D. | N.D. | N.D. |
| 検出限界 | 1.5 | 3.0 | 1.5 | 3.0 | 1.5 | 0.3 | 4.0 | 1.5 | 4.5 | 3.0 | 3.0 |
注1：参考値です。
オゾン水製造装置
概略フロー
- U series
- 半導体製造プロセスに最適でクリーンなオゾン水を製造。
・主な用途…半導体製造プロセス、精密機械部品洗浄 他
詳細
電極接合装置
特徴
- 1. 強化ガラスや成膜基板にアルミ電極をダイレクトに接合
- 2. ハンダ、ペーストなどの消耗品が不要
- 3. ダイレクト接合により接触抵抗を低減、導電性が向上
- 4. 省エネルギーでクリーンな常温接合プロセス
- 5. 独自技術によりガラスへダメージのない接合を実現
- 基本機能
- ・任意ピッチの自動送り機構
・アルミリード線のテンション制御
・接合条件（時間、エネルギー、変形量）モニタリング
・接合品質を安定化するリード線押え機構
・加圧力モニタリングによる精密な圧力制御
・目視確認のための圧痕モニタリング - 接合実績
- ・ガラス基板（ガラス厚み：0.65～4mm）
強化ガラス、青板ガラス、石英ガラス 等
・基板接合面材質
ITO,ZnO,Ag,Cr,Al,Ti,Ni 等
・ワークサイズ（mm）
□100, □300, 500×1000, 600×1200 等
透明導電膜成膜装置
特徴
- 1. ミストを利用した非真空プロセスにより、イニシャル/ランニングコストを低減
- 2. ZnOの低温成膜を実現（120ºC～）<特許申請済>
- 3. 長波長領域での透過率を向上<特許申請済>
- 4. ZnMgOのバンドギャップエンジニアリングが可能
- 5. 大面積にも適用可能
